IRHE57Z30SCS,IRHE57Z30SCS pdf中文资料,IRHE57Z30SCS引脚图,IRHE57Z30SCS电路-Datasheet-电子工程世界

IRHE57Z30SCS: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小119KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRHE57Z30SCS概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	LCC
包装说明	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数	18
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	350 mJ
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	12 A
最大漏源导通电阻	0.07 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CQCC-N15
元件数量	1
端子数量	15
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	48 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

	IRHE57Z30SCS	IRHE57Z30SCSPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18
是否Rohs认证	不符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	LCC	LCC
包装说明	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数	18	18
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	350 mJ	350 mJ
外壳连接	SOURCE	SOURCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	12 A	12 A
最大漏源导通电阻	0.07 Ω	0.07 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15
元件数量	1	1
端子数量	15	15
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	48 A	48 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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