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UF5406

产品描述3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小283KB,共2页
制造商DIOTECH
官网地址http://www.kdiode.com/
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UF5406概述

3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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UF5400 THRU UF5408
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
ULTRA FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER
Forward Current - 3.0 Ampere
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Ultra fast switching for high efficiency
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
DO-201AD
1.0 (25.4)
MIN.
0.220(5.6)
0.197(5.0)
DIA.
0.375(9.5)
0.285(7.2)
MECHANICAL DATA
Case
: JEDEC DO-201AD molded plastic body
Terminals
: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity
: Color band denotes cathode end
Mounting Position
: Any
Weight
:0.04 ounce, 1.10 grams
1.0 (25.4)
MIN.
0.052(1.3)
0.048(1.2)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
Characteristic
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375
(9.5mm) lead length at T
A
=55 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Maximum reverse recovery time
(NOTE 1)
Typical junction capacitance (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOLS
UF UF
UF
UF
UF
UF
UF UF
UF
5400 5401 5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
JA
T
J
,
T
STG
50
35
50
100 200 300 400 500
70 140 210 280 350
100 200 300 400 500
3.0
150.0
1.0
1.30
5.0
100.0
50
45
20.0
-65 to +150
600 800 1000
420 560 700
600 800 1000
V
V
V
A
A
1.70
V
µA
75
ns
pF
C/W
C
Note:
1.Reverse recovery condition I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375
(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

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