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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 5962-9305605MYC
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5962-9305605MYC

产品描述Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
产品类别存储    存储   
文件大小75KB，共10页
制造商Simtek
官网地址http://www.simtek.com
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5962-9305605MYC概述

Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28

5962-9305605MYC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Simtek
包装说明QCCN,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间45 ns
其他特性RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL
JESD-30 代码R-CQCC-N28
JESD-609代码e4
长度13.97 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度2.29 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.89 mm

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STK10C68-M
STK10C68-M
CMOS nvSRAM
High Performance
8K x 8 Nonvolatile Static RAM
MIL-STD-833/SMD 5962 - 93056
FEATURES
• 35, 45 and 55ns Access Times
• 20 and 25ns Output Enable Access
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Unlimited Read and Write to
SRAM
Hardware
STORE
Initiation
Automatic
STORE
Timing
100,000
STORE
cycles to
EEPROM
10 year data retention in
EEPROM
Automatic
RECALL
on Power Up
Hardware
RECALL
Initiation
Unlimited
RECALL
cycles from
EEPROM
Single 5V
±
10% Operation
DESCRIPTION
The Simtek STK10C68-M is a fast static
RAM
(35, 45
and 55ns), with a nonvolatile electrically-erasable
PROM
(
EEPROM
) element incorporated in each static memory
cell. The
SRAM
can be read and written an unlimited
number of times, while independent nonvolatile data
resides in
EEPROM
. Data may easily be transferred
from the
SRAM
to the
EEPROM
(
STORE
), or from the
EEPROM
to the
SRAM
(
RECALL
) using the NE pin. It
combines the high performance and ease of use of a
fast
SRAM
with nonvolatile data integrity.
The STK10C68 features industry standard pinout for
nonvolatile
RAM
s in a 28-pin 300 mil ceramic DIP, and
28-pad LCC packages. Commercial and industrial
temperature devices are also available.
• Available in multiple standard packages
LOGIC BLOCK DIAGRAM
EEPROM ARRAY
256 x 256
A
3
A
4
ROW DECODER
PIN CONFIGURATIONS
A
7
A
12
Vcc
NE
W
NE
3
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
6
A
5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1
28 27
26
25
24
23
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
A
12
A
7
A
6
A
A
A
A
A
A
DQ
DQ
DQ
5
4
3
2
1
0
0
1
2
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
STORE
STATIC RAM
ARRAY
256 x 256
RECALL
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
TOP VIEW
22
21
20
19
18
13 14 15 16 17
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
Vss
V
SS
28-LCC
28-300 CDIP
COLUMN I/O
INPUT BUFFERS
STORE/
RECALL
CONTROL
PIN NAMES
A
0
- A
12
W
DQ
0
- DQ
7
E
G
NE
COLUMN DECODER
Address Inputs
Write Enable
Data In/Out
Chip Enable
Output Enable
Nonvolatile Enable
Power (+5V)
Ground
A
0
A
1
A
2
A
10
A
11
G
NE
V
CC
E
W
V
SS
4-11

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描述 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
包装说明 QCCN, QCCN, DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 QCCN, DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 45 ns 55 ns 35 ns 35 ns 55 ns 55 ns 35 ns 45 ns
其他特性 RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL RETENTION/ENDURANCE-10 YEARS/100000 CYCLES; HARDWARE STORE/RECALL
JESD-30 代码 R-CQCC-N28 R-CQCC-N28 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28 R-CQCC-N28 R-CDIP-T28
JESD-609代码 e4 e4 e0 e0 e0 e0 e4 e0
长度 13.97 mm 13.97 mm 35.56 mm 35.56 mm 35.56 mm 35.56 mm 13.97 mm 35.56 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCN QCCN DIP DIP DIP DIP QCCN DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 240 240 240 240 260 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 38535Q/M;38534H;883B MIL-STD-883 MIL-STD-883
座面最大高度 2.29 mm 2.29 mm 4.14 mm 4.14 mm 4.14 mm 4.14 mm 2.29 mm 4.14 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 GOLD GOLD Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) GOLD Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8.89 mm 8.89 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 8.89 mm 7.62 mm
厂商名称 Simtek - - - Simtek Simtek Simtek Simtek
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 - -
是否Rohs认证 - - 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合
封装等效代码 - - DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 - DIP28,.3
电源 - - 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V
最大待机电流 - - 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A - 0.002 A
最大压摆率 - - 0.08 mA 0.08 mA 0.07 mA 0.08 mA - 0.075 mA

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  5. RTP270HVNBY
  6. BYC5-600P
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