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1N5230B

产品描述4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小488KB,共3页
制造商DIOTECH
官网地址http://www.kdiode.com/
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1N5230B概述

4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

4.7 V, 0.5 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-35

1N5230B规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压4.7 V
加工封装描述GLASS, SC-40, 2 PIN
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层TIN LEAD
端子位置AXIAL
包装材料GLASS
工艺ZENER
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限0.5000 W
极性UNIDIRECTIONAL
二极管类型VOLTAGE REGULATOR DIODE
工作测试电流20 mA
最大总参考电压5 %

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1N5221B THRU 1N5267B
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
FEATURES
. Standards zener voltage tolerance is 20%. Add suffix "A" for 10%
tolerance and suffix "B" for 5% tolerance other tolerance, non
standards and higher zener voltage upon request.
DO-35
Φ
0.5 ±
0.1
MECHANICAL DATA
.
Polarity
: Color band denotes cathode end
.
Weight
: Approx. 0.13gram
Φ
1.8 ±
All Dimensions in mm
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(LIMITING VALUES)
(T
A
=25℃ )
Symbols
Zener current see table "Characteristics"
Power dissipation at T
A
=75℃
Junction temperature
Storage temperature range
P
tot
T
J
T
STG
26 ± 1
3.8 ± 0.2
0.2
.
Case
: DO-35 glass case
26 ± 1
Value
Units
mW
500
1)
175
-65 to + 200
1)Valid provided that at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25℃ )
Symbols
Thermal resistance junction to ambient
Forward voltage
at I
F
=200mA
R
THA
V
F
Min.
Typ.
Max.
0.3
1)
1.1
Units
K
/mW
V
1)Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature
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