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74AHC3GU04DP

产品描述high-speed Si-gate CMOS device
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小149KB,共15页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AHC3GU04DP概述

high-speed Si-gate CMOS device

74AHC3GU04DP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SOIC
包装说明3 MM WIDTH, PLASTIC, SOT505-2, TSSOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
系列AHC/VHC/H/U/V
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度3 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型INVERTER
最大I(ol)0.008 A
湿度敏感等级1
功能数量3
输入次数1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.16
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Su9 ns
传播延迟(tpd)13.5 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度3 mm
Base Number Matches1

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74AHC3GU04
Inverter
Rev. 04 — 7 January 2010
Product data sheet
1. General description
The 74AHC3GU04 is a high-speed Si-gate CMOS device. This device provides three
inverter gates with unbuffered outputs.
2. Features
Symmetrical output impedance
High noise immunity
ESD protection:
HBM JESD22-A114F exceeds 2 000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
CDM JESD22-C101D exceeds 1 000 V
Low power dissipation
Balanced propagation delays
Multiple package options
Specified from
−40 °C
to +85
°C
and from
−40 °C
to +125
°C
3. Ordering information
Table 1.
Ordering information
Package
Temperature range
74AHC3GU04DP
74AHC3GU04DC
74AHC3GU04GD
−40 °C
to +125
°C
−40 °C
to +125
°C
−40 °C
to +125
°C
Name
TSSOP8
VSSOP8
XSON8U
Description
plastic thin shrink small outline package; 8 leads;
body width 3 mm; lead length 0.5 mm
Version
SOT505-2
Type number
plastic very thin shrink small outline package; 8 leads; SOT765-1
body width 2.3 mm
plastic extremely thin small outline package; no leads; SOT996-2
8 terminals; UTLP based; body 3
×
2
×
0.5 mm

74AHC3GU04DP相似产品对比

74AHC3GU04DP 74AHC3GU04DC 74AHC3GU04 74AHC3GU04GD
描述 high-speed Si-gate CMOS device high-speed Si-gate CMOS device high-speed Si-gate CMOS device high-speed Si-gate CMOS device
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦)
零件包装代码 SOIC TSSOP - SON
包装说明 3 MM WIDTH, PLASTIC, SOT505-2, TSSOP-8 VSSOP, TSSOP8,.12,20 - VSON, SOLCC8,.11,20
针数 8 8 - 8
Reach Compliance Code compli compli - compli
系列 AHC/VHC/H/U/V AHC/VHC/H/U/V - AHC/VHC/H/U/V
JESD-30 代码 S-PDSO-G8 R-PDSO-G8 - R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 e4 - e4
长度 3 mm 2.3 mm - 3 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF - 50 pF
逻辑集成电路类型 INVERTER INVERTER - INVERTER
最大I(ol) 0.008 A 0.008 A - 0.008 A
湿度敏感等级 1 1 - 1
功能数量 3 3 - 3
输入次数 1 1 - 1
端子数量 8 8 - 8
最高工作温度 125 °C 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP VSSOP - VSON
封装等效代码 TSSOP8,.16 TSSOP8,.12,20 - SOLCC8,.11,20
封装形状 SQUARE RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH - SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法 TAPE AND REEL TAPE AND REEL - TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260
电源 2/5.5 V 2/5.5 V - 2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Su 9 ns 9 ns - 9 ns
传播延迟(tpd) 13.5 ns 13.5 ns - 13.5 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
施密特触发器 NO NO - NO
座面最大高度 1.1 mm 1 mm - 0.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V - 2 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V
表面贴装 YES YES - YES
技术 CMOS CMOS - CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE - AUTOMOTIVE
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING - NO LEAD
端子节距 0.65 mm 0.5 mm - 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 - 30
宽度 3 mm 2 mm - 2 mm
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