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IS61NVP102418B-200B3

产品描述Standard SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, TFBGA-165
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文件大小2MB,共37页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61NVP102418B-200B3概述

Standard SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, TFBGA-165

IS61NVP102418B-200B3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明TBGA,
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间3 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度15 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13 mm
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