IS61NVF25672-7.5B1,IS61NVF25672-7.5B1 pdf中文资料,IS61NVF25672-7.5B1引脚图,IS61NVF25672-7.5B1电路-Datasheet-电子工程世界

IS61NVF25672-7.5B1: 产品描述ZBT SRAM, 256KX72, 7.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209; 产品类别存储存储; 文件大小281KB，共40页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61NVF25672-7.5B1概述

ZBT SRAM, 256KX72, 7.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209
针数	209
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B209
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	72
功能数量	1
端子数量	209
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX72
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.95 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm

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