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CAT34C02VP2I-T3

产品描述EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, 2 X 3 MM, MO-229, TDFN-8
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文件大小362KB,共17页
制造商Catalyst
官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/
标准  
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CAT34C02VP2I-T3概述

EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, 2 X 3 MM, MO-229, TDFN-8

CAT34C02VP2I-T3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Catalyst
零件包装代码SON
包装说明HVSON, SOLCC8,.11,20
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-XDSO-N8
JESD-609代码e0
长度3 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.11,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.8 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE

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CAT34C02
FEATURES
2-Kb I
2
C EEPROM for DDR2 DIMM Serial Presence Detect
DEVICE DESCRIPTION
The CAT34C02 is a 2-Kb Serial CMOS EEPROM,
internally organized as 16 pages of 16 bytes each, for
a total of 256 bytes of 8 bits each.
It features a 16-byte page write buffer and supports
both the Standard (100 kHz) as well as Fast (400 kHz)
I
2
C protocol.
Write operations can be inhibited by taking the WP pin
High (this protects the entire memory) or by setting an
internal Write Protect flag via Software command (this
protects the lower half of the memory).
In addition to Permanent Software Write Protection,
the CAT34C02 also features JEDEC compatible
Reversible Software Write Protection for DDR2 Serial
Presence Detect (SPD) applications operating over
the 1.7 V to 3.6 V supply voltage range.
The CAT34C02 is fully backwards compatible with
earlier DDR1 SPD applications operating over the
1.7 V to 5.5 V supply voltage range.
Supports Standard and Fast I
2
C Protocol
1.7 V to 5.5 V Supply Voltage Range
16-Byte Page Write Buffer
Hardware Write Protection for entire memory
Software Write Protection for lower 128 Bytes
Schmitt Triggers and Noise Suppression Filters
on I
2
C Bus Inputs (SCL and SDA).
Low power CMOS technology
1,000,000 program/erase cycles
100 year data retention
RoHS-compliant packages
Industrial temperature range
For Ordering Information details, see page 14.
PIN CONFIGURATION
TSSOP (Y)
TDFN (VP2)
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
FUNCTIONAL SYMBOL
VCC
For the location of Pin 1, please consult the
corresponding package drawing.
SCL
A 2, A 1 , A 0
WP
CAT34C02
SDA
PIN FUNCTIONS
A
0
, A
1
, A
2
SDA
SCL
WP
V
CC
V
SS
Device Address Input
Serial Data Input/Output
Serial Clock Input
Write Protect Input
Power Supply
Ground
VSS
* Catalyst carries the I
2
C protocol under a license from the Philips Corporation.
© 2006 by Catalyst Semiconductor, Inc.
Characteristics subject to change without notice
1
Doc. No. 1095, Rev. H

CAT34C02VP2I-T3相似产品对比

CAT34C02VP2I-T3 CAT34C02YI-T3
描述 EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, 2 X 3 MM, MO-229, TDFN-8 EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, MO-153, TSSOP-8
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Catalyst Catalyst
零件包装代码 SON TSSOP
包装说明 HVSON, SOLCC8,.11,20 TSSOP, TSSOP8,.25
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-XDSO-N8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0
长度 3 mm 4.4 mm
内存密度 2048 bit 2048 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 256 words 256 words
字数代码 256 256
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 256X8 256X8
封装主体材料 UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON TSSOP
封装等效代码 SOLCC8,.11,20 TSSOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.8 mm 1.2 mm
串行总线类型 I2C I2C
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A
最大压摆率 0.001 mA 0.001 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
宽度 2 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE

 
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