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S-LBAS20LT1G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小300KB,共3页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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S-LBAS20LT1G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

S-LBAS20LT1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
High Voltage Switching Diode
FEATURE
We declare that the material of product
compliance with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
LBAS20LT1G
S-LBAS20LT1G
3
1
2
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
SOT– 23
Device
LBAS20LT1G
S-LBAS20LT1G
LBAS20LT3G
S-LBAS20LT3G
Marking
JR
Shipping
3000/Tape&Reel
3
CATHODE
1
ANODE
JR
10000/Tape&Reel
MAXIMUM RATINGS
Rating
Continuous Reverse Voltage
Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current
Symbol
V
R
I
F
I
FM(surge)
Value
200
200
625
Unit
Vdc
mAdc
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR–5 Board,*
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage
Temperature Range
*FR–5 Minimum Pad
Symbol
P
D
Max
200
1.57
R
θJA
T
J
, T
stg
–55 to+150
°C
Unit
mW
mW/°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
I
R
V
(BR)
V
F
1000
1250
5.0
50
200
1.0
100
Vdc
mV
Min
Max
Unit
µAdc
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 200 Vdc)
(V
R
= 200 Vdc, T
J
= 150°C)
Reverse Breakdown Voltage
(I
BR
= 100
µAdc)
Forward Voltage
(I
F
= 100 mAdc)
(I
F
= 200 mAdc)
Diode Capacitance
(V
R
= 0, f = 1.0 MHz)
Reverse Recovery Time
(I
F
= I
R
= 30 mAdc, R
L
= 100
Ω)
C
D
t
rr
pF
ns
Rev.O 1/3

S-LBAS20LT1G相似产品对比

S-LBAS20LT1G S-LBAS20LT3G
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 Rectifier Diode, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
厂商名称 LRC LRC
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 200 V 200 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL

 
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