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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1106FT(TE85L,F)
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RN1106FT(TE85L,F)

产品描述PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小624KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1106FT(TE85L,F)概述

PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR

RN1106FT(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

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RN1101FT~RN1106FT
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1101FT, RN1102FT, RN1103FT
RN1104FT, RN1105FT, RN1106FT
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
Unit: mm
•
•
High-density mount is possible because of devices housed in very thin
TESM packages.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact
equipment and save assembly cost.
Wide range of resistor values are available to use in various circuit
designs.
Complementary to RN2101FT to RN2106FT
•
•
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN1101FT
RN1102FT
R2
RN1103FT
RN1104FT
E
RN1105FT
RN1106FT
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
B
R1
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
―
―
2-1B1A
Weight:2.2 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1101FT to 1106FT
RN1101FT to 1106FT
RN1101FT to 1104FT
RN1105FT, RN1106FT
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
100
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1
2010-03-07

RN1106FT(TE85L,F)相似产品对比

RN1106FT(TE85L,F) RN1101FT(TE85L,F) RN1106FT(TE85L) RN1103FT(TE85L) RN1104FT(TE85L) RN1104FT(TE85L,F) RN1102FT(TE85L) RN1102FT(TE85L,F) RN1105FT(TE85L,F) RN1105FT(TE85L)
描述 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR RN1106FT(TE85L) RN1103FT(TE85L) RN1104FT(TE85L) PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR RN1102FT(TE85L) PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR RN1105FT(TE85L)
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown

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