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RN2701(TE85L,F)

产品描述PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小470KB,共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2701(TE85L,F)概述

PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353

RN2701(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)30
元件数量2
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

RN2701(TE85L,F)相似产品对比

RN2701(TE85L,F) RN2702(TE85L,F) RN2706(TE85L,F)
描述 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353
是否Rohs认证 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 30 50 80
元件数量 2 2 2
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W
表面贴装 YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝)
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