PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
| 元件数量 | 2 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
| 表面贴装 | YES |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| RN2702(TE85L,F) | RN2701(TE85L,F) | RN2706(TE85L,F) | |
|---|---|---|---|
| 描述 | PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353 | PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353 | PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 50 | 30 | 80 |
| 元件数量 | 2 | 2 | 2 |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W | 0.2 W | 0.2 W |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 厂商名称 | - | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
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