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2PB1219A

产品描述PNP general purpose transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2PB1219A概述

PNP general purpose transistor

2PB1219A规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)85
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

2PB1219A相似产品对比

2PB1219A 2PB1219AQ 2PB1219AS 2PB1219AR
描述 PNP general purpose transistor PNP general purpose transistor PNP general purpose transistor PNP general purpose transistor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 PLASTIC, SC-70, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 85 85 170 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合
零件包装代码 - SC-70 SC-70 SC-70
针数 - 3 3 3
基于收集器的最大容量 - 15 pF 15 pF 15 pF
JESD-609代码 - e3 e3 e3
湿度敏感等级 - 1 1 1
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260 260
最大功率耗散 (Abs) - 0.2 W 0.2 W 0.2 W
端子面层 - Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间 - 30 30 30
标称过渡频率 (fT) - 100 MHz 140 MHz 120 MHz
VCEsat-Max - 0.6 V 0.6 V 0.6 V
Base Number Matches - 1 1 1
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