Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT70V9179L12PF

文档预览

IDT70V9179L12PF: 产品描述Dual-Port SRAM, 32KX9, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小282KB，共17页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

下载文档详细参数选型对比全文预览

IDT70V9179L12PF概述

Dual-Port SRAM, 32KX9, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

IDT70V9179L12PF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	50 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	14 mm
内存密度	294912 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	100
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装等效代码	QFP100,.63SQ,20
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.003 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HIGH-SPEED 3.3V 32K x 9

SYNCHRONOUS PIPELINED

DUAL-PORT STATIC RAM

Features:

◆

IDT70V9179L

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed clock to data access

– Commercial: 7.5/9/12ns (max.)

– Industrial: 9ns (max.)

Low-power operation

– IDT70V9179L

Active: 500mW (typ.)

Standby: 1.5mW (typ.)

Flow-Through or Pipelined output mode on either port via

the

FT/PIPE

pins

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

◆

Counter enable and reset features

Full synchronous operation on both ports

– 4ns setup to clock and 0ns hold on all control, data, and

address inputs

– Data input, address, and control registers

– Fast 7.5ns clock to data out in the Pipelined output mode

– Self-timed write allows fast cycle time

– 12ns cycle time, 83MHz operation in Pipelined output mode

LVTTL- compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is

available for selected speeds

Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP)

Green parts available, see ordering information

Functional Block Diagram

R/W

0/1

FT/PIPE

0/1

FT/PIPE

I/O

- I/O

I/O

Control

I/O

Control

I/O

- I/O

14L

CLK

ADS

CNTEN

CNTRST

Counter/

Address

Reg.

MEMORY

ARRAY

Counter/

Address

Reg.

14R

CLK

ADS

CNTEN

CNTRST

4860 drw 01

JANUARY 2014

DSC-4860/5

IDT70V9179L12PF相似产品对比

	IDT70V9179L12PF	IDT70V9179L7PF8	IDT70V9179L9PF8	IDT70V9179L9PFI8	IDT70V9179L12PF8	IDT70V9179L7PFG	IDT70V9179L9PFI	IDT70V9179L9PF	IDT70V9179L7PF
描述	Dual-Port SRAM, 32KX9, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 32KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 32KX9, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 32KX9, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 32KX9, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 32KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 32KX9, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 32KX9, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 32KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	不含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	LFQFP,	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	18 ns	20 ns	20 ns	25 ns	18 ns	20 ns	20 ns	18 ns
其他特性	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e3	e0	e0	e0
长度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9	9
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100	100	100	100
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX9	32KX9	32KX9	32KX9	32KX9	32KX9	32KX9	32KX9	32KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	260	240	240	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	30	20	20	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
最大时钟频率 (fCLK)	50 MHz	83 MHz	66 MHz	66 MHz	50 MHz	-	66 MHz	66 MHz	83 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
端口数量	2	2	2	2	2	-	2	2	2
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	-	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
最大待机电流	0.003 A	0.003 A	0.003 A	0.006 A	0.003 A	-	0.006 A	0.003 A	0.003 A
最小待机电流	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	-	3 V	3 V	3 V
最大压摆率	0.23 mA	0.31 mA	0.26 mA	0.28 mA	0.23 mA	-	0.28 mA	0.26 mA	0.31 mA
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	1	-

推荐资源

NEC JC-1404HMN-1型多频TTL和VGA大屏幕彩色显示器的电源电路图

电脑主板电路图 810 4_31

怎么获取下载积分: 怎么获取下载积分？ ...; attain 聊聊、笑笑、闹闹

985研究生，37岁失业了，该怎么办？: 在知乎看到这个话题，大家可以思考下，如果换成自己该怎么办？ 487458 ...; eric_wang 聊聊、笑笑、闹闹

脉冲控制晶闸管电路: 想通过控制晶闸管的导通角来控制后面的输出电压当然电容那部分现在还没加遇到的问题是晶闸管不知道什么地方出了问题分压太厉害 ...; J先生模拟与混合信号

GPU计算主板学习资料第735篇：基于3U VPX的AGX Xavier GPU计算主板: 基于3U VPX的AGX Xavier GPU计算主板一、板卡概述基于3UVPX的JetsonAGXXavierG ......; hexiaoyan_1024 工业自动化与控制

没事干，晒晒用VB编写的一些小软件！: 就不介绍功能的，都是些小东东： 51655 51656 51657 51658 51659 51660 51661...; zhaojun_xf 单片机

微控制器RL78族系列产品的概要（中文语音，得耐心听呢！）: 微控制器RL78族系列产品的概要（中文语音，得耐心听呢！） http://119.254.84.36/2012/renesas/RL78_Family_Overview/player.html RL78模拟数字转换器的概要 http://119.254.84.36/2012/rene ......; chenwenjun123 瑞萨MCU/MPU

模拟串口的C语言代码

本程序是模拟串口硬件机制写的，使用时可设一定时中断，时间间隔为1/4波特率，每中断一次调用一次接收函数，每中断4次调用一次发送函数,不过.对单片机来说时钟并须要快.要知道9600的波特率的每个BIT的时间间隔是104us.而单片机中断一次压栈出栈一次的时间是20us左右(标准的51核12M晶体)这样处理时间就要考虑清楚了.呵呵.以下程序是放在定时器中断程序函数内的 //接收部分 sbit ...[详细]
一种基于FM20L08的温度测试仪

　　1 引言　　高温测试仪主要用于加热过程中的温度跟踪测量和数据采集,通过对测试数据进行系统分析,研究炉内的温度分布和温差变化规律,分析影响加热质量的主要因素,对加热炉加热过程和加热制度进行优化,提高加热质量,降低燃料消耗。　　而在一些收集存储数据的系统，系统的电压可能变化不定或者突然断电，FM20L08就是针对这些系统可以用来直接替换异步静态存储器（SRAM）而设计的存储器，也是R...[详细]
基于LabVIEW的战斗机的应用

便携式数字数据采集系统（PDDAS）使用了LabVIEW实时模块和PXI，以控制风洞测试和采集记录来自128个不同通道的空气压力数据 "通过LabVIEW实时模块，可以在各种操作情况下获得采集空气压力数据及向风洞提供反馈控制信号所需的确定性响应时间。" – Dave Scheibenhoffer, G Systems 挑战: 用一个可采集、分析和存储来自下一代喷气式战斗机引擎设计的动...[详细]
基于LPC2214和uC/OS- II的嵌入式平台的音频编解码方案介绍

目前流行的ARM芯片内核有ARM7TDMI、ARM720T、ARM9TDMI、ARM992T、ARM940T、ARM946T、ARM966T和ARM10TDMI等，Philips LPC2214是基于ARM7TDMI-S的高性能32位RISC微控制器，它集成了Thumb扩展指令集，256KB可在系统中编程的片内Flash和可在应用中编程的16位KB RAM，向量中断控制器，外部总线控制器，...[详细]
百余家传统手机商线上复苏避开价格战需跳出山寨模式

国产手机正迎来重新崛起的春天。易观国际近日发布的《2012年第一季度中国移动终端市场季度监测》显示，三星、诺基亚、华为分列中国手机市场销售量前三位，而诺基亚的市场份额同比下降了18.5%，市场份额被上升较快的几大国产品牌分食。　　据不完全统计，截至今年6月底，已经有包括TCL、步步高、金立、OPPO等100多家传统手机厂商启动了多种形式的网上销售，这意味沉寂了多年的传统手机厂商开始高调...[详细]
穿越?去年7月已经有人知道Google要推出Nexus 7？

广受欢迎的“Ninja Unboxing” 节目放出了Nexus 7的相关视频，并由著名解说人George St-Pierre来扮演“Dr Paul”来开箱Nexus 7，以一种幽默方式来讲述忍者和平板之间发生的有趣故事。不过最有趣的是这段视频竟然是去年7月份时候放到Youtube上，是微软在去年就已经有这个念头了还是他们未卜先知不不得而知了。 ...[详细]
30 W以下功率的低功率LED通用照明应用

近年来，照明已经成为世界各国推动节能环保所瞄准的一个重要领域。据统计，全球每年约有20%的电能用于照明，这些电能中又有约40%用于低效的白炽灯照明。而随LED在光输出性能、成本等几乎各个方面的持续改进，LED通用照明已经成为白炽灯等传统照明的一种极引人注目的替代解决方案。典型的LED通用照明应用包括电灯泡和荧光灯管替代、嵌灯、街灯及停车灯、工作照明灯(台灯、橱柜内照明)、景观照明、广告牌文字...[详细]
DSP／BIOS在电能质量监测终端中的应用

　　DSP(数字信号处理器)在现今的工程应用中使用越来越频繁。其原因主要有三点：第一，它具有强大的运算能力，能够胜任FFT、数字滤波等各种数字信号处理算法；第二，各大DSP厂商都为自己的产品设计了相关的IDE(集成开发环境)，使得DSP应用程序的开发如虎添翼；第三，具有高性价比，相对于它强大的性能，不高的价格有着绝对的竞争力。　　TI为本公司的DSP设计了集成可视化开发环境CCS(Code...[详细]
中天科技集团创新培养“兵头将尾”模式喜结硕果

7月10日，常州信息职业技术学院中天科技学院首届大专班毕业典礼在常信院行政楼举行。中天科技集团董事长薛济萍，常州信息职业技术学院党委书记邓志良教授等领导出席典礼并讲了话。薛济萍在讲话中向大专班的同学表示热烈的祝贺！向学校领导和老师们表示衷心的感谢！他表示，企业现场管理的一线指挥者，在生产和管理中扮演着重要的角色，他们能力水平的高低直接影响到产品的质量、成本、交期、效率、安全和员工的士气，...[详细]
科学家造出芯片人体器官可代替动物进行药物试验

　　漂浮在瓶子里的人体器官是电影里科学家实验室的重要配置，而哈佛大学怀斯研究所的研究人员做得更精彩，他们在一个芯片上制造出器官：一个跟拇指驱动器(或者说跟拇指)差不多大小的装置，含有活体细胞，可模拟人体器官的活动。　　研究人员已经在芯片上制造出肺、肠、肾和骨髓。心脏正在研制过程中。这种装置会大大简化药物试验过程———当前这个过程既昂贵低效又会造成许多动物死亡———并有助于了解疾病是如何产生的。 ...[详细]
基于ARM920T的两种CAN总线扩展方式

1、引言随着工业控制系统逐步的自动化，现代化，现场总线控制系统得到越来越多的重视和应用，CAN总线是目前开发简单，性能价格比高的一种现场总线。相对其他现场总线而言，CAN通信控制器的生产厂家最多、品种最全、应用也最为广泛。基于现场总线控制系统智能化、复杂度的提高，作为现场总线的核心部件微处理器，传统的51芯片，甚至ARM7已经逐渐不能满足需要，ARM9成为合适的选择。但许多ARM9并没有集...[详细]
软件模拟器PICSIM调试及其开发

　　我们知道单片机开发工具，一般都包括实时在线仿真器(Emulator)和烧写器(Programmer)，其中在线仿真器是很好的工具，价格也较高。对于一些想节省开发成本的用户，也可以用软件模拟器(Simulator)来替代实时仿真器，因为其成本一般都很低。用软件模拟器和烧写器可组成一套低成本的开发系统，如针对Microchip著名的PIC单片机系列有PICKIT，即由软件模拟器PICSIM和...[详细]
基于PROFIBUS的变频器在连铸切割机中的应用

1 引言济钢集团第三炼钢厂是济钢集团“十五”期间的重点投资项目，引进的是国内外一流的先进设备和自动化控制技术，其装备达到国内一流、国际先进水平。在转炉、连铸自动化控制体系中，根据现场总线的特点和系统的需要应用了多种总线（Profibus、ControlNet、Devicenet）构成的现场总线控制系统（FCS），这些总线控制系统给转炉、连铸系统提供了安全而可靠的解决方案。1#连铸...[详细]
苹果宣布新一代iPad7月20日正式在中国上市

北京时间7月10日晚间消息，苹果宣布，新一代iPad(The New iPad)将于7月20日正式在中国大陆上市销售。　　WiFi版全新iPad将推出黑、白两种颜色，16GB 机型建议零售价为3688 元，32GB 机型为4488 元，64GB 机型为5288 元。WiFi+3G版全新iPad，建议零售价为16GB 机型4688元，32GB 机型5488 元，64GB机型6288元。　...[详细]
海尔展出脑波电视、透明电视及与语音搜索电视

7月5～8日，海尔在中国国际消费电子展（SINOCES 2012）上，展出了曾在2012 CES上亮相的脑波电视（见图1）和透明电视（见图2）。图1海尔全球首创脑力波电视图2海尔透明电视　　通过NeuroSky公司的ThinkGear技术读取神经活动产生的不同脑电波，转化成数字信号来控制电视，用人脑代替了遥控器。NeuroSky的核心技术以医学研究为基础，可...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多