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NESG3032M14-A

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESSS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小262KB,共6页
制造商NEC(日电)
标准
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NESG3032M14-A在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NESG3032M14-A概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESSS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN

NESG3032M14-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明LEAD FREE, LEADLESSS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.035 A
基于收集器的最大容量0.25 pF
集电极-发射极最大电压4.3 V
配置SINGLE
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F4
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON GERMANIUM

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NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
NESG3032M14
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PACKAGE)
FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
NF = 0.6 dB TYP. @ V
CE
= 2 V, I
C
= 6 mA, f = 2.0 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ V
CE
= 2 V, I
C
= 15 mA, f = 2.0 GHz
• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: f
max
= 110 GHz
• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 package)
ORDERING INFORMATION
Part Number
NESG3032M14
Order Number
NESG3032M14-A
Package
4-pin lead-less minimold
(M14, 1208 package)
NESG3032M14-T3 NESG3032M14-T3-A
(Pb-Free)
Quantity
50 pcs
(Non reel)
10 kpcs/reel
Supplying Form
• 8 mm wide embossed taping
• Pin 1 (Collector), Pin 4 (Emitter) face the
perforation side of the tape
Remark
To order evaluation samples, contact your nearby sales office.
Unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25°C)
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Note
Ratings
12.0
4.3
1.5
35
150
150
−65
to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
stg
Note
Mounted on 1.08 cm
2
×
1.0 mm (t) glass epoxy PWB
Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.
Document No. PU10575EJ01V0DS (1st edition)
Date Published July 2005 CP(K)
©
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 2005

NESG3032M14-A相似产品对比

NESG3032M14-A NESG3032M14-T3-A 2N661 NESG3032M14
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESSS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESSS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESSS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 - 不符合
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) - NEC(日电)
包装说明 LEAD FREE, LEADLESSS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN LEAD FREE, LEADLESSS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN - SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Reach Compliance Code compliant compliant - compli
最大集电极电流 (IC) 0.035 A 0.035 A - 0.035 A
基于收集器的最大容量 0.25 pF 0.25 pF - 0.25 pF
集电极-发射极最大电压 4.3 V 4.3 V - 4.3 V
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
最高频带 S BAND S BAND - S BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-F4 R-PDSO-F4 - R-PDSO-F4
JESD-609代码 e6 e6 - e0
元件数量 1 1 - 1
端子数量 4 4 - 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN - NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES YES - YES
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH - TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT - FLAT
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 - NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM - SILICON GERMANIUM
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