Transistor,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 8 A |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 750 |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 62.5 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
BD646 | BD648 | |
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描述 | Transistor, | Transistor, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 8 A | 8 A |
配置 | DARLINGTON | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 750 | 750 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 62.5 W | 62.5 W |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz |
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