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BD648

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小227KB,共10页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BD648概述

Transistor,

BD648规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)8 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)62.5 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)100 MHz

BD648相似产品对比

BD648 BD646
描述 Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 750 750
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 62.5 W 62.5 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
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