BTW39-200M概述

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6

BTW39-200M规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ST(意法半导体)
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
标称电路换相断开时间	100 µs
关态电压最小值的临界上升速率	100 V/us
最大直流栅极触发电流	80 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大漏电流	5 mA
通态非重复峰值电流	200 A
最大通态电流	25000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
断态重复峰值电压	200 V
表面贴装	NO
触发设备类型	SCR

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BTW39-200M相似产品对比

	BTW39-200M	BTW39-800M	BTW39-100M	BTW39-1000M	BTW39-400M	BTW39-600M
描述	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
标称电路换相断开时间	100 µs	100 µs	100 µs	100 µs	100 µs	100 µs
关态电压最小值的临界上升速率	100 V/us	200 V/us	100 V/us	200 V/us	100 V/us	100 V/us
最大直流栅极触发电流	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大漏电流	5 mA	5 mA	5 mA	5 mA	5 mA	5 mA
通态非重复峰值电流	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A
最大通态电流	25000 A	25000 A	25000 A	25000 A	25000 A	25000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
断态重复峰值电压	200 V	800 V	100 V	1000 V	400 V	600 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR

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