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BTW39-1000M

产品描述SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小160KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BTW39-1000M概述

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6

BTW39-1000M规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间100 µs
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流80 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大漏电流5 mA
通态非重复峰值电流200 A
最大通态电流25000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
断态重复峰值电压1000 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

BTW39-1000M相似产品对比

BTW39-1000M BTW39-800M BTW39-100M BTW39-200M BTW39-400M BTW39-600M
描述 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs
关态电压最小值的临界上升速率 200 V/us 200 V/us 100 V/us 100 V/us 100 V/us 100 V/us
最大直流栅极触发电流 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大漏电流 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA
通态非重复峰值电流 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
最大通态电流 25000 A 25000 A 25000 A 25000 A 25000 A 25000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
断态重复峰值电压 1000 V 800 V 100 V 200 V 400 V 600 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR

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