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GS8162Z3B6GB-150T: 产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小899KB，共32页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

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GS8162Z3B6GB-150T概述

ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119

GS8162Z3B6GB-150T规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.99 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

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Preliminary

GS8162Z18/36B(B/D)

119- & 165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

Features

• NBT (No Bus Turn Around) functionality allows zero wait

Read-Write-Read bus utilization; fully pin-compatible with

both pipelined and flow through NtRAM™, NoBL™ and

ZBT™ SRAMs

• 2.5 V or 3.3 V +10%/–10% core power supply

• 2.5 V or 3.3 V I/O supply

• User-configurable Pipeline and Flow Through mode

• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive

• IEEE 1149.1 JTAG-compatible Boundary Scan

• On-chip write parity checking; even or odd selectable

• On-chip parity encoding and error detection

• LBO pin for Linear or Interleave Burst mode

• Pin-compatible with 2M, 4M, and 8M devices

• Byte write operation (9-bit Bytes)

• 3 chip enable signals for easy depth expansion

• ZZ Pin for automatic power-down

• JEDEC-standard 119-, 165-, or 209-Bump BGA package

18Mb Pipelined and Flow Through

Synchronous NBT SRAM

250 MHz–150 MHz

2.5 V or 3.3 V V

2.5 V or 3.3 V I/O

Because it is a synchronous device, address, data inputs, and

read/write control inputs are captured on the rising edge of the

input clock. Burst order control (LBO) must be tied to a power

rail for proper operation. Asynchronous inputs include the

Sleep mode enable (ZZ) and Output Enable. Output Enable can

be used to override the synchronous control of the output

drivers and turn the RAM's output drivers off at any time.

Write cycles are internally self-timed and initiated by the rising

edge of the clock input. This feature eliminates complex off-

chip write pulse generation required by asynchronous SRAMs

and simplifies input signal timing.

The GS8162Z18/36B(B/D) may be configured by the user to

operate in Pipeline or Flow Through mode. Operating as a

pipelined synchronous device, in addition to the rising-edge-

triggered registers that capture input signals, the device

incorporates a rising edge triggered output register. For read

cycles, pipelined SRAM output data is temporarily stored by

the edge-triggered output register during the access cycle and

then released to the output drivers at the next rising edge of

clock.

The GS8162Z18/36B(B/D) is implemented with GSI's high

performance CMOS technology and is available in a JEDEC-

standard 119-bump or 165-bump BGA package.

Functional Description

The GS8162Z18/36B(B/D) is an 18Mbit Synchronous Static

SRAM. GSI's NBT SRAMs, like ZBT, NtRAM, NoBL or

other pipelined read/double late write or flow through read/

single late write SRAMs, allow utilization of all available bus

bandwidth by eliminating the need to insert deselect cycles

when the device is switched from read to write cycles.

Parameter Synopsis

-250

Pipeline

3-1-1-1

tCycle

Curr (x18)

Curr (x32/x36)

tCycle

Curr (x18)

Curr (x32/x36)

2.5

4.0

280

330

5.5

210

240

-200

3.0

5.0

230

270

6.5

185

205

-150

3.8

6.7

185

210

7.5

170

190

Unit

Flow Through

2-1-1-1

Rev: 1.00 9/2004

1/32

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

GS8162Z3B6GB-150T相似产品对比

	GS8162Z3B6GB-150T	GS8162Z3B6B-150	GS8162Z3B6B-150T	GS8162Z3B6GB-150
描述	ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119
是否无铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	符合
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,
针数	119	119	119	119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1	e0	e0	e1
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	119
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.99 mm	1.99 mm	1.99 mm	1.99 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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