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PN4355D27Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小461KB,共10页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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PN4355D27Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

PN4355D27Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)75
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
最大关闭时间(toff)400 ns
最大开启时间(吨)100 ns

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PN4355 / MMBT4355
PN4355
MMBT4355
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
Mark: 81
B
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for use as a general purpose amplifier
and switch requiring collector currents to 500 mA. Sourced
from Process 67. See TN4033A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Value
60
60
5
800
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
PN4355
625
5.0
83.3
200
Max
*MMBT4355
350
2.8
357
Units
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
PN4355/MMBT4355, Rev A

PN4355D27Z相似产品对比

PN4355D27Z PN4355J18Z PN4355J05Z PN4355D75Z PN4355D74Z PN4355D26Z MMBT4355D87Z
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant unknown unknown unknown compliant compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 75 75 75 75 75 75 75
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns
最大开启时间(吨) 100 ns 100 ns 100 ns 100 ns 100 ns 100 ns 100 ns
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 -
Is Samacsys - N N N N - -
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -
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