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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PTB20111
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PTB20111

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, FM-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB，共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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PTB20111概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, FM-2

PTB20111规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)159 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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PTB20111
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI PTB20111
is Designed for
General Purpose Class AB Power
Amplifier Applications up to 900 MHz.
PACKAGE STYLE .400 2L FLG
FEATURES:
•
25 W, 860-900 MHz
•
Silicon Nitride Passivated
•
Omnigold™
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
20 A
65 V
159 W @ T
C
= 25 °C
-40 °C to +150 °C
-40 °C to +150 °C
1.1 °C/W
1 = COLLECTOR
2 = EMITTER
3 = BASE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
h
FE
P
G
η
C
Ψ
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 5.0 mA
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 25 V
I
CQ
= 200 mA
V
CC
= 25 V
I
CQ
= 200 mA
I
C
= 1.0 A
P
OUT
= 85 W
P
OUT
= 60 W
f = 900 MHz
f = 900 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
25
55
3.5
20
8.5
50
9.5
10:1
100
UNITS
V
V
V
---
dB
%
---
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
•
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
•
(818) 982-1200
•
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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