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HY62UF16806B-DF70I

产品描述Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
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文件大小245KB,共11页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62UF16806B-DF70I概述

Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48

HY62UF16806B-DF70I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,30
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度8.5 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
最小待机电流1.2 V
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6 mm

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HY62UF16806B Series
512Kx16bit full CMOS SRAM
Document Title
512K x16 bit 3.0V Super Low Power Full CMOS slow SRAM
Revision History
Revision No
00
01
History
Initial Release
DC Para Change
Icc
4mA
à
Icc1(Min) 40mA
à
Icc1(1us)
8mA
à
Isb
0.1mA
à
Isb1
25uA
à
Iccdr
12uA
à
Draft Date
May.29.2001
Mar.20.2002
3mA
20mA
2mA
0.3mA
15uA
6uA
Remark
Preliminary
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev.01 / Mar. 2002
Hynix Semiconductor

HY62UF16806B-DF70I相似产品对比

HY62UF16806B-DF70I HY62UF16806B-DF55C HY62UF16806B-DF55I HY62UF16806B-DF70C HY62UF16806B-DF85I HY62UF16806B-DF85C
描述 Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30
针数 48 48 48 48 48 48
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 70 ns 55 ns 55 ns 70 ns 85 ns 85 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 8.5 mm 8.5 mm 8.5 mm 8.5 mm 8.5 mm 8.5 mm
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48 48 48
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm
最小待机电流 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
最大压摆率 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm
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