Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY62UF16806B-DF55I

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HY62UF16806B-DF55I: 产品描述Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小245KB，共11页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY62UF16806B-DF55I概述

Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48

HY62UF16806B-DF55I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	8.5 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm
最小待机电流	1.2 V
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm

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HY62UF16806B Series

512Kx16bit full CMOS SRAM

Document Title

512K x16 bit 3.0V Super Low Power Full CMOS slow SRAM

Revision History

Revision No

History

Initial Release

DC Para Change

Icc

4mA

Icc1(Min) 40mA

Icc1(1us)

8mA

Isb

0.1mA

Isb1

25uA

Iccdr

12uA

Draft Date

May.29.2001

Mar.20.2002

3mA

20mA

2mA

0.3mA

15uA

6uA

Remark

Preliminary

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.01 / Mar. 2002

Hynix Semiconductor

HY62UF16806B-DF55I相似产品对比

	HY62UF16806B-DF55I	HY62UF16806B-DF55C	HY62UF16806B-DF70C	HY62UF16806B-DF85I	HY62UF16806B-DF70I	HY62UF16806B-DF85C
描述	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48	48	48	48	48	48
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns	55 ns	70 ns	85 ns	70 ns	85 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	48	48	48
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm
最小待机电流	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V
最大压摆率	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm

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