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MUR120: 产品描述Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 200V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 0.95V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 35A; IR MAX (UA): 2uA; @VR (V): 200V; TRR MAX (NS): 25ns; Package: DO-41; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小324KB，共3页; 制造商Galaxy Microelectronics; 标准

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MUR120概述

Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 200V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 0.95V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 35A; IR MAX (UA): 2uA; @VR (V): 200V; TRR MAX (NS): 25ns; Package: DO-41

MUR120规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Galaxy Microelectronics
零件包装代码	DO-41
Reach Compliance Code	unknown
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.875 V
最大非重复峰值正向电流	35 A
元件数量	1
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	1 A
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向恢复时间	0.025 µs
表面贴装	NO
类别
VRRM (V) max	200
IF (A) max	1
VF (V) max	0.95
Condition1_IF (A)	1
IFSM (A) max	35
IR (uA) max	2
Condition2_VR (V)	200
trr (ns) max	35
AEC Qualified	NO
最高工作温度	125
最低工作温度	-55
是否无铅	否
符合Reach	YES
符合RoHS	YES
Package Outlines	DO-41

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描述	Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 200V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 0.95V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 35A; IR MAX (UA): 2uA; @VR (V): 200V; TRR MAX (NS): 25ns; Package: DO-41	Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 500V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 1.25V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 35A; IR MAX (UA): 5uA; @VR (V): 500V; TRR MAX (NS): 50ns; Package: DO-41	Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 100V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 0.95V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 35A; IR MAX (UA): 2uA; @VR (V): 100V; TRR MAX (NS): 25ns; Package: DO-41	1A,150V,Ultra Fast Rectifiers, Diodes, Single, 150V, 1A, 0.95V, 1A, 35A	1A,300V,Ultra Fast Rectifiers, Diodes, Single, 300V, 1A, 1.25V, 1A, 35A	1A,50V,Ultra Fast Rectifiers, Diodes, Single, 50V, 1A, 0.95V, 1A, 35A
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.875 V	1.2 V	0.875 V	0.875 V	1.2 V	0.875 V
最大非重复峰值正向电流	35 A	35 A	35 A	35 A	35 A	35 A
元件数量	1	1	1	1	1	1
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
最大重复峰值反向电压	200 V	500 V	100 V	150 V	300 V	50 V
最大反向恢复时间	0.025 µs	0.05 µs	0.025 µs	0.025 µs	0.05 µs	0.025 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
厂商名称	Galaxy Microelectronics	-	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics
最高工作温度	125	150 °C	125	125	125	125
VRRM (V) max	200	-	100	150	300	50
IF (A) max	1	-	1	1	1	1
VF (V) max	0.95	-	0.95	0.95	1.25	0.95
Condition1_IF (A)	1	-	1	1	1	1
IFSM (A) max	35	-	35	35	35	35
IR (uA) max	2	-	2	2	5	2
Condition2_VR (V)	200	-	100	150	300	50
trr (ns) max	35	-	35	35	50	35
AEC Qualified	NO	-	NO	NO	NO	NO
最低工作温度	-55	-	-55	-55	-55	-55
是否无铅	否	-	否	否	否	否
符合Reach	YES	-	YES	YES	YES	YES
符合RoHS	YES	-	YES	YES	YES	YES
Package Outlines	DO-41	-	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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