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MUR150: 产品描述Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 500V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 1.25V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 35A; IR MAX (UA): 5uA; @VR (V): 500V; TRR MAX (NS): 50ns; Package: DO-41; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小324KB，共3页; 制造商Galaxy Microelectronics; 标准

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MUR150概述

Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 500V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 1.25V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 35A; IR MAX (UA): 5uA; @VR (V): 500V; TRR MAX (NS): 50ns; Package: DO-41

MUR150规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DO-41
Reach Compliance Code	unknown
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
最大非重复峰值正向电流	35 A
元件数量	1
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	1 A
最大重复峰值反向电压	500 V
最大反向恢复时间	0.05 µs
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

MUR150相似产品对比

	MUR150	MUR110	MUR120	MUR115	MUR130	MUR105
描述	Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 500V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 1.25V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 35A; IR MAX (UA): 5uA; @VR (V): 500V; TRR MAX (NS): 50ns; Package: DO-41	Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 100V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 0.95V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 35A; IR MAX (UA): 2uA; @VR (V): 100V; TRR MAX (NS): 25ns; Package: DO-41	Ultra Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 200V; IAV MAX (A): 1A; VFM MAX (V): 0.95V; @ IF (A): 1A; IFSM MAX (A): 35A; IR MAX (UA): 2uA; @VR (V): 200V; TRR MAX (NS): 25ns; Package: DO-41	1A,150V,Ultra Fast Rectifiers, Diodes, Single, 150V, 1A, 0.95V, 1A, 35A	1A,300V,Ultra Fast Rectifiers, Diodes, Single, 300V, 1A, 1.25V, 1A, 35A	1A,50V,Ultra Fast Rectifiers, Diodes, Single, 50V, 1A, 0.95V, 1A, 35A
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	0.875 V	0.875 V	0.875 V	1.2 V	0.875 V
最大非重复峰值正向电流	35 A	35 A	35 A	35 A	35 A	35 A
元件数量	1	1	1	1	1	1
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
最大重复峰值反向电压	500 V	100 V	200 V	150 V	300 V	50 V
最大反向恢复时间	0.05 µs	0.025 µs	0.025 µs	0.025 µs	0.05 µs	0.025 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最高工作温度	150 °C	125	125	125	125	125
厂商名称	-	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics
VRRM (V) max	-	100	200	150	300	50
IF (A) max	-	1	1	1	1	1
VF (V) max	-	0.95	0.95	0.95	1.25	0.95
Condition1_IF (A)	-	1	1	1	1	1
IFSM (A) max	-	35	35	35	35	35
IR (uA) max	-	2	2	2	5	2
Condition2_VR (V)	-	100	200	150	300	50
trr (ns) max	-	35	35	35	50	35
AEC Qualified	-	NO	NO	NO	NO	NO
最低工作温度	-	-55	-55	-55	-55	-55
是否无铅	-	否	否	否	否	否
符合Reach	-	YES	YES	YES	YES	YES
符合RoHS	-	YES	YES	YES	YES	YES
Package Outlines	-	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41

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