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VS6V3UC1QST18R

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小911KB,共7页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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VS6V3UC1QST18R在线购买

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VS6V3UC1QST18R概述

Trans Voltage Suppressor Diode,

VS6V3UC1QST18R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time12 weeks
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

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VS6V3UC1QS
Transient Voltage Suppressor
●Outline
Datasheet
V
W
A
(2)
DSN1006-2 SOD882 SMD1006
V
RWM
P
PP
I
PP
●Features
6.3
660
45
(1)
●Inner
Circuit
High reliability
Uni-directional ESD protection
ESD protection ±30kV (IEC61000-4-2)
Dimension tolerance±10um
●Applications
Battery protection
Power management
●Packaging
Specifications
Packing
Reel Size(mm)
Taping Width(mm)
Quantity(pcs)
Taping Code
Marking
Embossed Tape
180
8
18000
T18R
HD
●Absolute
Maximum Ratings (Ta=25ºC)
Parameter
Peak pulse power
Maximum peak pulse current
Electrostatic discharge voltage*
Junction temperature
Storage temperature
Operation temperature
Power dissipation
Symbol
P
PP
I
pp
V
ESD
T
j
T
stg
T
opr
P
D
Conditions
tp=8/20μs
tp=8/20μs
IEC61000-4-2
-
-
-
-
Air discharge
Contact
Min.
-
-
-
-
-
-55
-55
-
Max.
660
45
±30
±30
150
150
150
200
Unit
W
A
kV
kV
ºC
ºC
ºC
mW
*
IEC61000-4-2
C=150pF R=330Ω
●Characteristics
(Ta=25ºC unless otherwise stated)
Parameter
Reverse standoff voltage
Reverse breakdown voltage
Reverse leakage current
Clamping voltage
Capacitance between terminals
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
CL
V
CL
V
CL
C
t
Conditions
-
I
R
=1mA
V
R
=6.3V
Ipp= 5A, tp=8/20us
Ipp=20A, tp=8/20us
Ipp=45A, tp=8/20us
V
R
=0V , f=1MHz
Min.
-
6.7
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
8.2
10
-
-
Max.
6.3
7.7
1
9
11
14.7
250
Unit
V
V
uA
V
V
V
pF
www.rohm.com
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