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MMSD1000T3

产品描述0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 425-04, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小299KB,共32页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MMSD1000T3概述

0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 425-04, 2 PIN

MMSD1000T3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
制造商包装代码CASE 425-04
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
最大功率耗散0.225 W
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Switching Diode
Part of the GreenLine™ Portfolio of devices with energy–conserving traits.
This switching diode has the following features:
Very Low Leakage (≤ 500 pA) promotes extended battery life by decreas-
ing energy waste
Offered in four Surface Mount package types
Available in 8 mm Tape and Reel in quantities of 3,000
Applications
ESD Protection
Reverse Polarity Protection
Steering Logic
Medium–Speed Switching
MMBD1000LT1
MMBD2000T1
MMBD3000T1
MMSD1000T1
Motorola Preferred Devices
MMBD1000LT1
3
1
2
CASE 318-08, STYLE 8
SOT-23 (TO-236AB)
3
CATHODE
1
ANODE
MAXIMUM RATINGS
Rating
Continuous Reverse Voltage
Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current
Symbol
VR
IF
IFM
(surge)
Value
30
200
500
Unit
Vdc
mAdc
1
MMBD2000T1
3
mA
2
DEVICE MARKING
MMBD1000LT1 = AY
MMBD2000T1 = DH
MMBD3000T1 = XP
MMSD1000T1 = 4K
CASE 419-02, STYLE 2
SC–70/SOT–323
3
CATHODE
1
ANODE
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR-4 Board (1)
TA = 25°C
MMBD1000LT1, MMBD3000T1,
MMSD1000T1
MMBD2000T1
Derate above 25°C MMBD1000LT1, MMBD3000T1,
MMSD1000T1
MMBD2000T1
Thermal Resistance Junction to Ambient
MMBD1000LT1, MMBD3000T1,
MMSD1000T1
MMBD2000T1
Junction and Storage Temperature
Symbol
PD
225
150
1.8
1.2
R
θJA
°C/W
556
833
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
1
MMBD3000T1
Max
Unit
mW
2
1
3
CASE 318D-04, STYLE 2
SC–59
mW/°C
3
CATHODE
2
ANODE
MMSD1000T1
2
(1) Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board using the minimum
recommended footprint.
CASE 425-04, STYLE 1
SOD–123
1
CATHODE
2
ANODE
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
REV 1
3–46
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

MMSD1000T3相似产品对比

MMSD1000T3 MMBD1000LT3 MMBD2000T3
描述 0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 425-04, 2 PIN 0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN 0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, SC-70, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 R-PDSO-G2 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
针数 2 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 2 3 3
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240
最大功率耗散 0.225 W 0.225 W 0.15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 3 µs 3 µs 3 µs
表面贴装 YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
制造商包装代码 CASE 425-04 CASE 318-08 -
零件包装代码 - SOT-23 SC-70

 
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