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1N5408G: 产品描述3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小282KB，共2页; 制造商SY; 官网地址http://www.shunyegroup.com/

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1N5408G概述

3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27

3 A, 1000 V, 硅, 整流二极管, DO-27

1N5408G规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
状态	CONSULT MFR
包装形状	圆
包装尺寸	LONG FORM
端子形式	线
端子位置	AXIAL
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的
壳体连接	隔离
二极管元件材料	硅
二极管类型	整流二极管
应用	GENERAL PURPOSE
相数	1
最大重复峰值反向电压	1000 V
最大平均正向电流	3 A
最大非重复峰值正向电流	200 A

1N5408G相似产品对比

	1N5408G	1N5400G	1N5401G	1N5402G	1N5403G	1N5404G	1N5406G	1N5407G	1N5405G
描述	3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27	3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27	3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	RECTIFIER DIODE	3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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