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1N5407G: 产品描述3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小282KB，共2页; 制造商SY; 官网地址http://www.shunyegroup.com/

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1N5407G概述

3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

3 A, 800 V, 硅, 整流二极管

1N5407G规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	LEAD FREE, PLASTIC, CASE 267-05, 2 PIN
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	ROUND
包装尺寸	LONG FORM
端子形式	WIRE
端子涂层	MATTE TIN
端子位置	AXIAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE
壳体连接	ISOLATED
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
应用	GENERAL PURPOSE
相数	1
最大重复峰值反向电压	800 V
最大平均正向电流	3 A
最大非重复峰值正向电流	200 A

1N5407G相似产品对比

	1N5407G	1N5400G	1N5401G	1N5402G	1N5403G	1N5404G	1N5406G	1N5405G	1N5408G
描述	3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE	3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27	3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	RECTIFIER DIODE	3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27

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