MMBTA94
MMBTA94
PNP
Version 2011-11-09
1.1
Surface mount High Voltage Transistors
Hochspannungs-Transistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation
Verlustleistung
±0.1
PNP
200 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
Type
Code
1
2
2.5
max
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.9
Dimensions / Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- V
CEO
- V
CBO
- V
EBO
P
tot
- I
C
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBTA94
400 V
400 V
6V
200 mW
1
)
300 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
T
j
T
S
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 300 V
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 4 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
2
)
- I
C
= 10 mA, - I
B
= 1 mA
- I
C
= 50 mA, - I
B
= 5 mA
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
2
)
- I
C
= 10 mA, - I
B
= 1 mA
- V
BEsat
–
- V
CEsat
- V
CEsat
–
–
- I
EB0
–
- I
CB0
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
–
Max.
100 nA
100 nA
500 mV
750 mV
750 mV
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
MMBTA94
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- V
CE
= 10 V, - I
C
= 1 mA
- V
CE
= 10 V, - I
C
= 10 mA
- V
CE
= 10 V, - I
C
= 30 mA
Collector-Base capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- V
CB
= 20 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
Marking - Stempelung
MMBTA92
C
CBO
R
thA
–
–
< 500 K/W
1
)
MMBTA44
MMBTA94 = 4D
7 pF
h
FE
h
FE
h
FE
100
40
25
–
–
–
–
–
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
Max.
120
[%]
100
80
60
40
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature
1
)
1
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
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