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US6X4

产品描述Low frequency amplifier (30V, 2A)
文件大小65KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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US6X4概述

Low frequency amplifier (30V, 2A)

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US6X4
Transistors
Low frequency amplifier (30V, 2A)
US6X4
Application
Low frequency amplifier
Driver
Dimensions
(Unit : mm)
Features
1) A collector current is large.
2) V
CE(sat)
: max. 370mV
At lc=1.5A / l
B
=75mA
ROHM : TUMT6
Abbreviated symbol : X04
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emiter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperautre
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
30
30
6
2
4
400
1.0
150
−55
to
+150
Unit
V
V
V
A
A
∗1
mW
∗2
W
∗3
°C
°C
Equivalent circuit
(6)
(5)
(4)
0.2Max.
(1)
(2)
(3)
∗1
Single pluse, Pw=1ms
∗2
Each Terminal Mounted on a Recommended Land Pattern
∗3
Mounted on a 25mm×25mm×
t
0.8mm ceramic substrate
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltae
Collector-emitter breakdown voltae
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Pulsed
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
30
30
6
270
Typ.
180
280
20
Max.
100
100
370
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
MHz
pF
Conditions
I
C
=10µA
I
C
=1mA
I
E
=10µA
V
CB
=30V
V
EB
=6V
I
C
=1.5A,
I
B
=75mA
V
CE
=2V,
I
C
=200mA
V
CE
=2V,
I
E
=−200mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
Rev.B
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