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UMT3906_1

产品描述PNP General Purpose Transistor
文件大小116KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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UMT3906_1概述

PNP General Purpose Transistor

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UMT3906/SST3906/MMST3906
Transistors
PNP General Purpose Transistor
UMT3906 / SST3906 / MMST3906
Features
1) BV
CEO
>
−40V
(I
C
=
−1mA)
2) Complements the T3904/SST3904/MMST3909.
3) Low capacitance.
Dimensions
(Unit : mm)
UMT3906
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Package, marking, and packaging specifications
Type
Packaging type
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
UMT3906
UMT3
R2A
T106
3000
SST3906 MMST3906
SST3
R2A
T116
3000
SMT3
R2A
T146
3000
ROHM : SST3
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
SST3906
MMST3906
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector Power
dissipation
UMT3906
SST3906,MMST3906
SST3906,MMST3906
Junction temperature
Storage temperature
Tj
Tstg
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
O
Pd
Limits
−40
−40
−5
−0.2
6.2
0.35
150
−55
to
+150
Unit
V
V
V
A
W
W
°C
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
°C
When mounted on a 7
5 0.6mm ceramic board.
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Min.
−40
−40
−5
−0.65
60
80
DC current transfer ratio
h
FE
100
60
30
Transition frequency
Collector output capacitance
Emitter input capacitance
Delay time
Rise time
Storage tiem
Fall time
f
T
Cob
Cib
td
tr
tstg
tf
250
Typ.
Max.
−50
−50
−0.25
−0.4
−0.85
−0.95
300
4.5
10
35
35
225
75
MHz
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
I
C
=
−10µA
I
C
=
−1mA
I
E
=
−10µA
V
CB
=
−30V
V
EB
=
−3V
I
C
/I
B
=
−10mA/ −1mA
I
C
/I
B
=
−50mA/ −5mA
I
C
/I
B
=
−10mA/ −1mA
I
C
/I
B
=
−50mA/ −5mA
V
CE
=
−1V,
I
C
=
−0.1mA
V
CE
=
−1V,
I
C
=
−1mA
V
CE
=
−1V,
I
C
=
−10mA
V
CE
=
−1V,
I
C
=
−50mA
V
CE
=
−1V,
I
C
=
−100mA
V
CE
=
−20V,
I
E
=10mA, f=100MHz
V
CB
=
−10V,
f=100kHz, I
E
=0A
V
CB
=
−0.5V,
f=100kHz, I
C
=0A
V
CC
=
−3V,
V
BE(OFF)
=
−0.5V,I
C
=
−10mA,
I
B1
=
−1mA
V
CC
=
−3V,
V
BE(OFF)
=
−0.5V,I
C
=
−10mA,
I
B1
=
−1mA
V
CC
=
−3V,
I
C
=
−10mA,
I
B1
=
−I
B2
=
−1mA
V
CC
=
−3V,
I
C
=
−10mA,
I
B1
=
−I
B2
=
−1mA
Conditions
+
+
Rev.B
1/4

UMT3906_1相似产品对比

UMT3906_1 MMST3906 SST3906 UMT3906
描述 PNP General Purpose Transistor PNP General Purpose Transistor PNP General Purpose Transistor PNP General Purpose Transistor
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合
厂商名称 - ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code - compliant compliant compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) - 0.2 A 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 - 40 V 40 V 40 V
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 30 30 30
JESD-30 代码 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 - e1 e1 e1
元件数量 - 1 1 1
端子数量 - 3 3 3
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260 260
极性/信道类型 - PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) - 0.2 W 0.2 W 0.2 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES YES
端子面层 - TIN SILVER COPPER Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 - GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 10 10
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 250 MHz 250 MHz 250 MHz
最大关闭时间(toff) - 300 ns 300 ns 300 ns
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