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SH8M24_09

产品描述4V Drive Nch+Pch MOSFET
文件大小157KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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SH8M24_09概述

4V Drive Nch+Pch MOSFET

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4V Drive Nch+Pch MOSFET
SH8M24
Structure
Silicon N-channel / P-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S protection diode.
3) Small surface mount package (SOP8).
Application
Switching
Each lead has same dimensions
Dimensions
(Unit : mm)
SOP8
Packaging
specifications
Package
Type
SH8M24
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TB
2500
Inner
circuit
(8)
(7)
(6)
(5)
∗2
∗2
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source
(4) Tr2 Gate
(5) Tr2 Drain
(6) Tr2 Drain
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
Absolute
maximum ratings
(Ta=25C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
∗1
Pw≤10μs, Duty cycle≤1%
∗2
Mounted on a ceramic board.
∗1
∗1
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
∗1
I
S
I
SP
∗1
P
D
∗2
Tch
Tstg
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Limits
Tr1 : N-ch
Tr2 : P-ch
45
−45
±20
±20
±3.5
±4.5
±14
±18
1.0
−1.0
18
−14
2.0
1.4
150
−55
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W / ELEMENT
°C
°C
(1)
(2)
(3)
(4)
∗1
ESD protection diode
∗2
Body diode
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2009.12 - Rev.A

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