电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RB050LA-40_1

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小109KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
下载文档 选型对比 全文预览

RB050LA-40_1概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

文档预览

下载PDF文档
RB050LA-40
Diodes
Schottky barrier diode
RB050LA-40
Applications
General rectification
Features
1) Small power mold type
(PMDT)
2) Low I
R
3) High reliability
External dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
Structure
Silicon epitaxial planer
Structure
Taping dimensions
(Unit : mm)
Absolute maximum ratings
(Ta=25 C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak (60Hz 1cyc)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave
Limits
40
40
3
70
150
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
Electrical characteristic
(Ta=25 C)
Parameter
Symbol
V
F
1
Forward voltage
V
F
2
Reverse current
I
R
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.50
0.55
0.1
Unit
V
V
mA
Conditions
I
F
=1.5A
I
F
=3.0A
V
R
=40V
Rev.A
1/3

RB050LA-40_1相似产品对比

RB050LA-40_1 RB050LA-40
描述 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2888  1152  1608  1674  96  30  18  32  54  45 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved