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RB050L-40_1

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小111KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RB050L-40_1概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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RB050L-40
Diodes
Schottky barrier diode
RB050L-40
Applications
General rectification
Dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
Features
1) Small power mold type. (PMDS)
2) Low I
R
.
3) High reliability.
Structure
Construction
Silicon epitaxial planar
Taping specifications
(Unit : mm)
Absolute maximum ratings
(Ta=25 C)
Param eter
Revers e voltage (repetitive peak)
Revers e voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current s urge peak (60Hz 1cyc)
Junction tem perature
Storage tem perature
(*1)Mounted on epoxy board. 180
Sym bol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Ts tg
Lim its
40
40
3
70
125
-40 to +125
Unit
V
V
A
A
Half s ine wave
Electrical characteristics
(Ta=25 C)
Param eter
Forward voltage
Revers e current
Sym bol
V
F
1
V
F
2
I
R
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.55
0.50
1
Unit
V
V
mA
I
F
=3.0A
I
F
=1.5A
V
R
=40V
Conditions
Rev.D
1/3

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