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RB050L-40

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小111KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB050L-40概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

RB050L-40规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB050L-40
Diodes
Schottky barrier diode
RB050L-40
Applications
General rectification
Dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
Features
1) Small power mold type. (PMDS)
2) Low I
R
.
3) High reliability.
Structure
Construction
Silicon epitaxial planar
Taping specifications
(Unit : mm)
Absolute maximum ratings
(Ta=25 C)
Param eter
Revers e voltage (repetitive peak)
Revers e voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current s urge peak (60Hz 1cyc)
Junction tem perature
Storage tem perature
(*1)Mounted on epoxy board. 180
Sym bol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Ts tg
Lim its
40
40
3
70
125
-40 to +125
Unit
V
V
A
A
Half s ine wave
Electrical characteristics
(Ta=25 C)
Param eter
Forward voltage
Revers e current
Sym bol
V
F
1
V
F
2
I
R
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
0.55
0.50
1
Unit
V
V
mA
I
F
=3.0A
I
F
=1.5A
V
R
=40V
Conditions
Rev.D
1/3

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