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FMN1

产品描述0.025 A, 80 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小176KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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FMN1概述

0.025 A, 80 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

FMN1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-74A
包装说明R-PDSO-G5
针数5
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JESD-30 代码R-PDSO-G5
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量5
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.025 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
最大反向电流0.1 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
反向测试电压70 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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FMN1
Diodes
Switching diode
FMN1
Application
Ultra high speed switching
Dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
Features
1) Small mold type. (SMD5)
2) High reliability
Each lead has same dimension
Construction
Silicon epitaxial planar
Structure
Taping specifications
(Unit : mm)
Absolute maximum ratings
(Ta=25 C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive)
Reverse voltage (DC)
Forward current Single
Average rectified forward current
Surge current(t=1us)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
FM
Io
I
surge
Pd
Tj
Tstg
Limits
80
80
80
25
250
80
150
-55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mA
mW
Electrical characteristics
(Ta=25 C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
Symbol
V
F
I
R
Ct
trr
Min.
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
Max.
0.9
0.1
3.5
4
Unit
V
μA
pF
ns
Conditions
I
F
=5mA
V
R
=70V
V
R
=6V , f=1MHz
V
R
=6V , IF=5mA , RL=50
Rev.C
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