DTC114WE_09,DTC114WE_09 pdf中文资料,DTC114WE_09引脚图,DTC114WE

DTC114WE_09: 产品描述100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors); 文件大小136KB，共3页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/

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DTC114WE_09概述

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)

DTC114WE_09相似产品对比

	DTC114WE_09	DTC114WKA	DTC114WUA	DTC114WE
描述	100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)	100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)	100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)	100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)
是否无铅	-	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合
厂商名称	-	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)
包装说明	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	-	compli	compli	compli
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	-	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	-	50 V	50 V	50 V
配置	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	-	24	24	24
JESD-30 代码	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	-	e1	e1	e1
元件数量	-	1	1	1
端子数量	-	3	3	3
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260	260
极性/信道类型	-	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	-	0.2 W	0.2 W	0.15 W
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	-	YES	YES	YES
端子面层	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	-	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	-	10	10	10
晶体管应用	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON

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