NE3509M04-T2,NE3509M04-T2 pdf中文资料,NE3509M04-T2引脚图,NE3509M04-T2电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NE3509M04-T2

NE3509M04-T2: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小82KB，共10页; 制造商NEC(日电)

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NE3509M04-T2概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN

NE3509M04-T2规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NEC(日电)
零件包装代码	DFP
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最小漏源击穿电压	4 V
最大漏极电流 (ID)	0.06 A
FET 技术	HETERO-JUNCTION
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-F4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

NE3509M04-T2相似产品对比

	NE3509M04-T2	NE3509M04
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant
最小漏源击穿电压	4 V	4 V
最大漏极电流 (ID)	0.06 A	0.06 A
FET 技术	HETERO-JUNCTION	HETERO-JUNCTION
最高频带	S BAND	S BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	4	4
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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