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NE3509M04

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小82KB,共10页
制造商NEC(日电)
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NE3509M04概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN

NE3509M04规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN
Reach Compliance Codecompliant
最小漏源击穿电压4 V
最大漏极电流 (ID)0.06 A
FET 技术HETERO-JUNCTION
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

NE3509M04相似产品对比

NE3509M04 NE3509M04-T2
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, MO-4, 4 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Reach Compliance Code compliant compliant
最小漏源击穿电压 4 V 4 V
最大漏极电流 (ID) 0.06 A 0.06 A
FET 技术 HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION
最高频带 S BAND S BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-F4 R-PDSO-F4
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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