IDT70825S35GB,IDT70825S35GB pdf中文资料,IDT70825S35GB引脚图,IDT70825S35GB电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT70825S35GB: 产品描述Standard SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, PGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小315KB，共21页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT70825S35GB概述

Standard SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, PGA-84

IDT70825S35GB规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	PGA
包装说明	PGA-84
针数	84
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码	S-CPGA-P84
JESD-609代码	e0
长度	27.94 mm
内存密度	131072 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	84
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX16
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA84M,11X11
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.207 mm
最大待机电流	0.03 A
最大压摆率	0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	27.94 mm

IDT70825S35GB相似产品对比

	IDT70825S35GB	IDT70825S45G	IDT70825L25GB	IDT70825S25GB	IDT70825S35PFB	IDT70825S45PF	IDT70825L45G
描述	Standard SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, PGA-84	Standard SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84	Multi-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, CERAMIC, PGA-84	Multi-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, CERAMIC, PGA-84	Standard SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	Standard SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80	Standard SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	PGA	PGA	PGA	PGA	QFP	QFP	PGA
包装说明	PGA-84	PGA-84	PGA,	PGA,	TQFP-80	TQFP-80	PGA-84
针数	84	84	84	84	80	80	84
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	EAR99	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	EAR99	EAR99
最长访问时间	35 ns	45 ns	25 ns	25 ns	35 ns	45 ns	45 ns
JESD-30 代码	S-CPGA-P84	S-CPGA-P84	S-CPGA-P84	S-CPGA-P84	S-PQFP-G80	S-PQFP-G80	S-CPGA-P84
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	14 mm	14 mm	27.94 mm
内存密度	131072 bit	131072 bit	131072 bit	131072 bit	131072 bit	131072 bit	131072 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	84	84	84	84	80	80	84
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	70 °C	125 °C	125 °C	125 °C	70 °C	70 °C
最低工作温度	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-
组织	8KX16	8KX16	8KX16	8KX16	8KX16	8KX16	8KX16
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA	PGA	PGA	PGA	LQFP	LQFP	PGA
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	240	240	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.207 mm	5.207 mm	5.207 mm	5.207 mm	1.6 mm	1.6 mm	5.207 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	GULL WING	GULL WING	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	0.65 mm	0.65 mm	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	QUAD	QUAD	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	20	20	30
宽度	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	27.94 mm	14 mm	14 mm	27.94 mm
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	ALSO REGISTERED SEQUENTIAL ACCESS PORT; TSU=5NS; TCO=25NS	ALSO REGISTERED SEQUENTIAL ACCESS PORT; TSU=5NS; TCO=25NS	-	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN
封装等效代码	PGA84M,11X11	PGA84M,11X11	-	-	QFP80,.64SQ	QFP80,.64SQ	PGA84M,11X11
电源	5 V	5 V	-	-	5 V	5 V	5 V
最大待机电流	0.03 A	0.015 A	-	-	0.03 A	0.015 A	0.0015 A
最大压摆率	0.4 mA	0.34 mA	-	-	0.4 mA	0.34 mA	0.29 mA

IDT70825S35GB

IDT70825S35GB概述

IDT70825S35GB规格参数

IDT70825S35GB相似产品对比

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