电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1.5KE250A

产品描述1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB,共5页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1.5KE250A概述

1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

1500 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管

1.5KE250A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压263 V
最小击穿电压237 V
击穿电压标称值250 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压344 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)265
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压214 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
TVS
1.5KE
SERIES
GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1500 WATT PEAK POWER 5.0 WATTS STEADY STATE
FEATURES
*
*
*
*
*
*
Plastic package has underwriters laboratory certificate
Glass passivated chip construction
1500 watt surage capability at 1ms
Excellent clamping capability
Low zener impedance
Fast response time
1.5KE
1.0 (25.4)
MIN.
.042 (1.07)
DIA.
.038 (0.96)
.375 (9.5)
.285 (7.2)
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
o
.210 (5.3)
.190 (4.8)
1.0 (25.4)
MIN.
DIA.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load,
For capacitive load, derate current by 20%.
o
Dimensions in inches and (millimeters)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA suffix for types 1.5KE 6.8 thru 1.5KE 450
Electrical characteristics apply in both direction
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
RATINGS
Peak Power Dissipation at T
A
= 25 C, T
P
= 1mS ( Note 1 )
Steady State Power Dissipation at T
L
= 75 C lead lengths,
.375” ( 9.5 mm ) ( Note 2 )
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine wave-
superimposed on rated load( JEDEC METHOD ) unidirectional only
Maximum Instantaneous Forward Current at 50.0A for
unidirectional only ( Note 3 )
Operating and Storage Temperature Range
I
FSM
200
Amps
P
M(AV)
5.0
Watts
o
o
o
SYMBOL
P
PPM
VALUE
Minimum 1500
UNITS
Watts
V
F
T
J
, T
STG
3.5/5.0
-55 to + 150
Volts
0
C
2002-12
NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25
o
C per Fig.2.
2. Mounted on copper pad area of 0.8X0.8” ( 20X20mm ) per Fig.5.
3. V
F
= 3.5V for devices of V(
BR
) < 200V and V
F
= 5.0 Volts max.for devices of V(
BR
) > 200V.
拿到开发板后下一步怎么办
参加了嵌入式竞赛。拿到了板子。 芯片是2440的,板上就看到一个usb口,一个sd卡读卡口。另外还有一个jtag头,有并口和串口还配了一个8芯排线。除了数据手册什么资料都没有了。 现在不知道怎么 ......
hongrui 嵌入式系统
欲以NXP LPC1549板子交换PIC32MX250系列板子一块。
欲以NXP LPC1549板子交换PIC32MX250系列板子一块。有吃灰的童鞋可以拿出来:) 附板子说明LPC1549 ...
电子微创意 淘e淘
基于HJ-2G AVR单片机学习笔记下载
全部15章一起下载39064 目录 1.HJ-2G板子概述 2.ICCAVR环境设置 3.LED实验 4.数码管显示实验 5.独立键盘,阵列键盘 5.2.外部中断键盘 6.1602实验 7.07-TC1,CTC,PWM,QPWM实验 ......
szmmgg Microchip MCU
请教无线充电的数据通信问题
如图: 443314 2租PWM互补对要不断输出交变脉冲信号产生交变电流,然后在线圈上感应出磁场进行能量传输。但是同时又要输出数据进行通信,数据如何发送?DATA端是解调接收端过来的数据 ......
stm32f103vct6 无线连接
(三极管+MOS) & (MOS+MOS)组合电路
(三极管+MOS) & (MOS+MOS)组合电路 导通的时候,三极管+MOS比MOS+MOS组合更耗电?为什么?但是更可靠!我发现直接用单片机驱动MOS有出现过导通不充分的现象!大家说哪种方式更好? ......
QWE4562009 分立器件
安装ubuntu虚拟机
本人在自己电脑上用 VMware 安装 ubuntu 虚拟机,出现不了安装界面。而会死在 run a command as ... 这里 不知道如何解决,已经重试好几次了 每次都这样子。求指教指教,感谢ing...
hades2011 Linux开发

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1259  1145  2535  2198  782  24  21  4  56  54 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved