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KSC2752

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共3页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KSC2752概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126

KSC2752规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

KSC2752相似产品对比

KSC2752 KSC2752-Y KSC2752-R KSC2752-O
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 40 20 30
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 - 400 V 400 V 400 V
功耗环境最大值 - 10 W 10 W 10 W
最大关闭时间(toff) - 3500 ns 3500 ns 3500 ns
最大开启时间(吨) - 1000 ns 1000 ns 1000 ns
VCEsat-Max - 1 V 1 V 1 V

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