K4S640832E-TL750,K4S640832E-TL750 pdf中文资料,K4S640832E-TL750引脚图,K4S640832E-TL750电路-Datasheet-电子工程世界

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K4S640832E-TL750: 产品描述Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54; 产品类别存储存储; 文件大小127KB，共10页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4S640832E-TL750概述

Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54

K4S640832E-TL750规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
端子数量	54
字数	8388608 words
字数代码	8000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP
封装等效代码	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.135 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL

K4S640832E-TL750相似产品对比

	K4S640832E-TL750	K4S640832E-TC1HT	K4S640832E-TC1L0	K4S640832E-TL1H0	K4S640832E-TL1HT	K4S640832E-TL1LT	K4S640832E-TL75T
描述	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	5.4 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
端子数量	54	54	54	54	54	54	54
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8	8MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.135 mA	0.125 mA	0.125 mA	0.125 mA	0.125 mA	0.125 mA	0.135 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

K4S640832E-TL750

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