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K4S640832E-TL1LT

产品描述Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54
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文件大小127KB,共10页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4S640832E-TL1LT概述

Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54

K4S640832E-TL1LT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间6 ns
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL

K4S640832E-TL1LT相似产品对比

K4S640832E-TL1LT K4S640832E-TC1HT K4S640832E-TC1L0 K4S640832E-TL1H0 K4S640832E-TL1HT K4S640832E-TL75T K4S640832E-TL750
描述 Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54 Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54 Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 5.4 ns 5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3
端子数量 54 54 54 54 54 54 54
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX8 8MX8 8MX8 8MX8 8MX8 8MX8 8MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP TSOP TSOP TSOP TSOP TSOP TSOP
封装等效代码 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.125 mA 0.125 mA 0.125 mA 0.125 mA 0.125 mA 0.135 mA 0.135 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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