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1N6301E3

产品描述1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小22KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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1N6301E3概述

1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

1N6301E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
针数2
制造商包装代码CASE 1
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大击穿电压187 V
最小击穿电压153 V
击穿电压标称值170 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压244 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.52 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压138 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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