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MI5004-18

产品描述9.1 GHz - 9.5 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小144KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MI5004-18概述

9.1 GHz - 9.5 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE

MI5004-18相似产品对比

MI5004-18 MI5001 MI5003-18 MI5022-18 MI5001-18
描述 9.1 GHz - 9.5 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE 9.1 GHz - 9.6 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE 9.1 GHz - 9.6 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE 9.5 GHz - 10.2 GHz, GALLIUM ARSENIDE, CONTINUOUS WAVE IMPATT DIODE 5.1 GHz - 5.4 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE
是否Rohs认证 - - 符合 符合 符合
厂商名称 - - Microsemi Microsemi Microsemi
包装说明 - - O-CUPM-N1 O-CUPM-N1 CERAMIC, ROHS COMPLIANT, M18
Reach Compliance Code - - compli compli compli
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99
应用 - - PULSED CONTINUOUS WAVE PULSED
外壳连接 - - CATHODE CATHODE CATHODE
配置 - - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - - GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
二极管类型 - - IMPATT DIODE IMPATT DIODE IMPATT DIODE
JESD-30 代码 - - O-CUPM-N1 O-CUPM-N1 O-CUPM-N1
元件数量 - - 1 1 1
端子数量 - - 1 1 1
典型工作电流 - - 1700 mA 400 mA 1000 mA
最大工作频率 - - 9.6 GHz 10.2 GHz 5.4 GHz
最小工作频率 - - 9.1 GHz 9.5 GHz 5.1 GHz
标称工作电压 - - 60 V 45 V 85 V
最小输出功率 - - 15 W 3.5 W 10 W
封装主体材料 - - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 - - ROUND ROUND ROUND
封装形式 - - POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
认证状态 - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - - NO NO NO
技术 - - IMPATT IMPATT IMPATT
端子形式 - - NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 - - UPPER UPPER UPPER
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