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MI5001

产品描述9.1 GHz - 9.6 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小144KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MI5001概述

9.1 GHz - 9.6 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE

MI5001相似产品对比

MI5001 MI5003-18 MI5022-18 MI5004-18 MI5001-18
描述 9.1 GHz - 9.6 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE 9.1 GHz - 9.6 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE 9.5 GHz - 10.2 GHz, GALLIUM ARSENIDE, CONTINUOUS WAVE IMPATT DIODE 9.1 GHz - 9.5 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE 5.1 GHz - 5.4 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE
是否Rohs认证 - 符合 符合 - 符合
厂商名称 - Microsemi Microsemi - Microsemi
包装说明 - O-CUPM-N1 O-CUPM-N1 - CERAMIC, ROHS COMPLIANT, M18
Reach Compliance Code - compli compli - compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99 - EAR99
应用 - PULSED CONTINUOUS WAVE - PULSED
外壳连接 - CATHODE CATHODE - CATHODE
配置 - SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 - GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE - GALLIUM ARSENIDE
二极管类型 - IMPATT DIODE IMPATT DIODE - IMPATT DIODE
JESD-30 代码 - O-CUPM-N1 O-CUPM-N1 - O-CUPM-N1
元件数量 - 1 1 - 1
端子数量 - 1 1 - 1
典型工作电流 - 1700 mA 400 mA - 1000 mA
最大工作频率 - 9.6 GHz 10.2 GHz - 5.4 GHz
最小工作频率 - 9.1 GHz 9.5 GHz - 5.1 GHz
标称工作电压 - 60 V 45 V - 85 V
最小输出功率 - 15 W 3.5 W - 10 W
封装主体材料 - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 - ROUND ROUND - ROUND
封装形式 - POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT - POST/STUD MOUNT
认证状态 - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 - NO NO - NO
技术 - IMPATT IMPATT - IMPATT
端子形式 - NO LEAD NO LEAD - NO LEAD
端子位置 - UPPER UPPER - UPPER
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