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HM5425401BTT-10

产品描述DDR DRAM, 64MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
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文件大小1016KB,共62页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM5425401BTT-10概述

DDR DRAM, 64MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66

HM5425401BTT-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSSOP66,.46
针数66
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP66,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
连续突发长度2,4,8
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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HM5425161B Series
HM5425801B Series
HM5425401B Series
256M SSTL_2 interface DDR SDRAM
143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz
4-Mword
×
16-bit
×
4-bank/8-Mword
×
8-bit
×
4-bank/
16-Mword
×
4-bit
×
4-bank
ADE-203-1077 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Jun. 28, 1999
Description
The HM5425161B, the HM5425801B and the HM5425401B are the Double Data Rate (DDR) SDRAM
devices. Read and write operations are performed at the cross points of the CLK and the
CLK.
This high
speed data transfer is realized by the 2-bit prefetch piplined architecture. Data strobe (DQS) both for read and
write are available for high speed and reliable data bus design. By setting extended mode resistor, the on-chip
Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.
Features
JEDEC standard compatible devices
2.5 V power supply
SSTL-2 interface for all inputs and outputs
Clock frequency: 143 MHz/133 Mhz/125 MHz/100 MHz
Data inputs, outputs, and DM are synchronized with DQS
4 banks can operate simultaneously and independently
Burst read/write operation
Programmable burst length: 2/4/8
Burst read stop capability
Programmable burst sequence
Sequential
Interleave
Preliminary: The specifications of this device are subject to change without notice. Please contact your
nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specifications.

HM5425401BTT-10相似产品对比

HM5425401BTT-10 HM5425161BTT-75B HM5425161BTT-75A HM5425161BTT-10 HM5425801BTT-10 HM5425401BTT-75B HM5425401BTT-75A HM5425801BTT-75A HM5425801BTT-75B
描述 DDR DRAM, 64MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 64MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 64MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46
针数 66 66 66 66 66 66 66 66 66
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最大时钟频率 (fCLK) 125 MHz 133 MHz 143 MHz 125 MHz 125 MHz 133 MHz 143 MHz 143 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 4 16 16 16 8 4 4 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 66 66 66 66 66 66 66 66 66
字数 67108864 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 33554432 words 67108864 words 67108864 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 64000000 16000000 16000000 16000000 32000000 64000000 64000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX4 16MX16 16MX16 16MX16 32MX8 64MX4 64MX4 32MX8 32MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46 TSSOP66,.46
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
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